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C2GR16-氣相沉積爐

簡(jiǎn)要描述：熱誘導(dǎo)的化學(xué)氣相滲透(英語(yǔ):chemical vaporinfiltration ,CV)是一個(gè)與CVD有關(guān)的技術(shù)，以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復(fù)合材料制成的部件具有改善的機(jī)械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。

更新日期：2024-11-08
訪問(wèn) 量：404

技術(shù)數(shù)據(jù)
規(guī)格
應(yīng)用
主要成分
下載

一、設(shè)備基本原理與特點(diǎn)

1. 基本原理

熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積(英語(yǔ):chemical vapor deposition ,CVD)是用于各種電介質(zhì),半導(dǎo)體和金屬材料的保護(hù)涂層的沉積的有力方式，無(wú)論是單晶，多晶，無(wú)定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。通過(guò)使用合成前體，涂層非常純凈并目滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求，根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個(gè)或幾個(gè)原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護(hù)層或功能層，以及厚度達(dá)100微米的單片部件，甚至高達(dá)數(shù)毫米。

2.設(shè)備特點(diǎn)

采用臥式、側(cè)開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu):裝、卸料精度高，操作方便;
采用先進(jìn)的控制技術(shù)，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動(dòng)范圍小;
溫度均勻性好:平均溫度均勻性為±5℃;
采用多通道沉積氣路，流場(chǎng)均勻，無(wú)沉積死角，沉積效果好;
全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強(qiáng);
安全性能好:采用HMI+PLC+PID壓力傳感控制，安全可靠;
對(duì)沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物能進(jìn)行有效處理;
多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物，易清理;
采用設(shè)計(jì)防腐蝕真空機(jī)組，持續(xù)工作時(shí)間長(zhǎng)，維修率極低。

二、主要技術(shù)參數(shù)

編號(hào)	C2GR16
產(chǎn)品型號(hào)	VHCgr-20/20/30-1600
最高設(shè)計(jì)溫度（ ℃ ）	1600
加熱元件	等靜壓石墨
加熱功率（Kw）	45
冷態(tài)極限真空度（ Pa ）	6.7x10-3Pa（空爐、冷態(tài)、經(jīng)凈化）
測(cè)溫元件	鎢錸熱電偶
升溫速率	1~20℃/min
溫度均勻性	±5℃（5點(diǎn)測(cè)溫，恒溫區(qū)1000℃保溫1h后檢測(cè)）
爐膛尺寸（mm）	200x200x300（WxHxD）
可通入氣氛	1路CH3SiCI_3、1路氨氣、1路氫氣、1路氮?dú)?/span>
氣氛流量計(jì)	4路質(zhì)量流量計(jì)
設(shè)備外形尺寸（ mm ）	1425x1550x1850mm(DxWxH)

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